近年來，業(yè)屆對于只需一顆就可達到相當亮度的LED研發(fā)相當積極,，因此在這一方面的技術也就落在如何讓LED能夠支持更大的電流,。通常30u㎡的LED最大可以驅動30mA的電流，但是這樣的結果還是遠遠無法滿足市場的期望,，所以目標是需要將10倍以上的電流,，導通到LED元件中。因此當LED的面積尺寸可以擴充到1m㎡時,，那么緊接下來的工作便是如何讓電流值能夠達到350500mA,，因為驅動電壓是3V多，所以就可以有1W的電力能被流進1m㎡的芯片面積,。

   而在發(fā)光演色的方面,，雖然有這么大的功率輸入到GaNLED中，但是所投入電力的四分之三都無法轉換成光而形成熱量,，因此LED就會出現過熱的現象,，這也會直接影響到LED的演色結果。因為LED元件的基本特性是,，如果溫度上升,，發(fā)光效率就會下降以及造成演色性偏差，所以如何有效的釋放大量產生熱量的放熱技術成為了關鍵,，因此將LED裝在熱傳導率大,、熱容量大的材料上就成了相當重要的問題，以目前來說大多是使用有價金屬或者陶瓷,。
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